000 01746cam a2200505 i 4500
999 _c13002
_d13002
001 vtls000305409
003 NUKAT
005 20181127113846.0
008 040621s1979 pl a | |001 ||pol|c
020 _a8320400228
035 _azz2004884342
039 9 _a201804201343
_bark
_c201706081107
_dpw
_c201601130859
_dvuwm
_c201401230802
_dkopuewr
040 _aWR U/Chm
_cWR U/jc
_dWR U/jcs
_dWR U/dl
041 1 _apol
_heng
245 0 0 _aUkłady scalone MOS LSI :
_bteoria, technologia, projektowanie i zastosowanie : praca zbiorowa /
_cpod red. Williama M. Penneya i Lilliany Lau ; współaut. G. S. Ashcraft [et al.] ; tł. z jęz. ang. Witold Kodejszko.
246 1 _iTyt. oryg.:
_aMOS integrated circuits
246 3 0 _aUkłady scalone Metal Oxide Semiconductor Large-Scale Integration
260 _aWarszawa :
_bWydawnictwa Naukowo-Techniczne,
_c1979.
300 _a436 s. :
_bfot., rys., wykr. ;
_c24 cm.
504 _aBibliogr. przy rozdz.
504 _aIndeks.
650 _aMOS (elektronika).
700 1 _aPenney, William M.
_eRed.
700 1 _aLau, Lillian.
_eRed.
700 1 _aAshcraft, G. S.
700 1 _aKodejszko, Witold.
_eTł.
710 2 _aWydawnictwa Naukowo-Techniczne.
_4pbl
_919
982 _aBYDG_24
942 _2ddc
_cBK
960 _aSLUPSK_003
980 _aSZCZ_ZUT